《表2 不同温度退火CuAlO2薄膜的电阻率》

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《工艺条件对CuAlO_2透明导电薄膜光电性能的影响》

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CuAlO2薄膜属于p型导电半导体材料，由于本征缺陷（金属空位或过量氧）的存在使CuAlO2具有一定的导电性，而且由于热激发，CuAlO2薄膜中载流子数量（间隙氧原子或铜空位）会随热处理温度的升高而增加，使导电性增强。然而，退火温度过高（大于900℃），薄膜表面变得粗糙，孔洞增加，降低了载流子的迁移率，使薄膜电阻率增大，导电性降低。