《表2 不同退火温度下AZO纳米叠层薄膜方块电阻值Tab.2 Block sheet resistance values of the AZO nanolaminate films at differ

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《退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响》

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实验结果表明，电阻率随着退火温度、退火时间的升高均有所增加，退火处理不仅可以改变ALD-AZO膜的晶体结构，而且还影响其电学性能[16]。在测试薄膜方块电阻的过程中发现，AZO纳米叠层薄膜的方块电阻会随着测试电压的升高而降低，即薄膜的阻值不稳定。但在退火条件为400℃，6 h时，薄膜电阻基本稳定，已无明显波动。结合上述分析，过高的退火温度不利于薄膜的结晶性能和电学稳定性，在本文条件下，最好的热处理工艺为400℃，6 h。在此条件下退火处理的AZO纳米叠层薄膜是未来MCP打拿极导电层材料的优良选择。