《表2 不同温度退火的Cu薄膜的方块电阻、标准差和变异系数》

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《真空退火对热蒸发纳米Cu薄膜性能的影响》

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由变异系数的变化情况可知，随着退火温度的升高，纳米Cu薄膜生长成Cu晶粒的晶粒直径逐渐增大，方块电阻减小，电导率增大。但是，当退火温度从300℃升高到500℃时，在退火温度进一步升高过程中，纳米Cu薄膜晶粒之间的晶格能发生变化，导致纳米颗粒出现畸形变异。进而导致纳米Cu薄膜出现畸形，失去纳米Cu薄膜本有的均质性与稳定性，所以退火温度不能过大。只有当退火温度为300℃时，纳米Cu薄膜的变异系数最小，此刻衬底上的Cu薄膜均匀性更好。