《表1 不同氮氧比条件下制备的薄膜的方块电阻》

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《不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响》

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表1是不同氮氧比条件下制备的N、Al共掺ZnO薄膜对应的方块电阻。当氮氧比由1∶4升高到3∶1时，薄膜方块电阻逐渐升高，当氮氧比为3∶1时，方块电阻达到相对极大值12 550.00Ω；当氮氧比由3∶1升高到6∶1时，方块电阻快速下降；当氮氧比由6∶1升高到9∶1时，方块电阻又略微升高。这是因为氮氧比由1∶4升高到3∶1时，N取代O主要以（N2)o施主缺陷存在，当氮氧比由3∶1变化为9∶1时，N取代O主要以No受主缺陷存在，薄膜导电性能由n型转变为p型导电，与文献[7]分析的结果一致。