《表1 不同脉冲持续时间条件下制备Ti薄膜的相关参数设计》

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《脉冲持续时间对Ti纳米晶薄膜结构及性能的影响》

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实验采用可调控占空比模式下的大功率脉冲物理气相沉积法，周期20 ms，单脉冲电流频率50 k Hz。基片采用单晶Si（100）片以及帆船牌载玻片，平行于靶面放置，靶基距120 mm，并以5 r/min速度旋转。本底真空度5×10-3 Pa，工作真空度6.6×10-1 Pa，保护气体为高纯Ar气，气流量50 m L/min，Ti薄膜沉积生长时间均为1 h。样品制备过程中恒定阴极靶材的峰值电流，通过设定脉冲持续时间Ton分别为1.6，4，8和16 ms而获得具有不同生长结构的Ti纳米晶薄膜。具体工艺参数如表1所示。