《表1 制备Ti N薄膜的工艺参数》

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《脉冲电流密度对磁控溅射制备TiN薄膜组织与性能的影响》

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Ti N薄膜的制备流程:首先通过真空系统把真空腔内压力降至5×10-3Pa之下，再通入纯度99%的惰性Ar气，流量为60 m L/min，同时将基体的偏压控制在-400V；之后再依次制备纯Ti打底层与Ti N工作层。通过制备打底层可以显著增强基体和工作层之间的结合力，制备纯Ti打底层时控制Ti靶的功率0.8 kW，并设定基体偏压-120 V，共保持10 min。制备Ti N工作层过程中需持续通入20 m L/min N2，保持真空腔中气压约0.8 Pa，共保持1 h，工艺参数见表1。