《表1 薄膜的制备工艺参数》

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《TaO_x中掺氧量对TaO_x/WO_x电致变色性能的影响》

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采用直流反应磁控溅射的方式在镀有ITO的玻璃上制备掺氧含量为30%的WOx膜，然后在WOx薄膜上镀制具有不同掺氧含量TaOx薄膜．其中ITO玻璃的方块电阻为7欧姆，腔室的本底真空抽到3.0×10-4 Pa以下，预溅射的时间为10min，用于清理靶材表面的污染物．镀制薄膜前，将衬底依次置于分析纯级别的丙酮，无水乙醇中进行20min的超声波清洗．薄膜的制备参数如表1所示．