《表1 Cu-DLC薄膜制备工艺参数》

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《基体负偏压对掺Cu类金刚石薄膜摩擦学性能的影响》

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采用磁控溅射系统（JPG-450型），在304不锈钢表面沉积掺铜类金刚石薄膜（Cu-DLC薄膜），沉积之前用无水乙醇和丙酮分别对基体进行超声波清洗20min，再用干燥N2吹干后置于腔体。本底真空度小于4×10-4Pa开始镀膜。在沉积Cu-DLC薄膜前首先沉积Cu过渡层，以增大结合强度，沉积Cu过渡层时间为10min。然后直流共溅射石墨和铜靶材，共溅射时间为60min。保持其他工艺参数一致，调节基底负偏压为0、100V、150V、200V和250V制备一系列Cu-DLC薄膜。详细参数见表1。