《表1 不同厚度WO3薄膜制备工艺参数》

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《反应磁控溅射氧化钨电致变色薄膜结构与性能》

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使用纯度为99.95%的金属钨作为靶材，在FTO（方块电阻为18~20?/□）基片上通过脉冲直流电源反应磁控溅射沉积WO3薄膜，制备工艺如表1所示。其中通过控制基片运动速率和在阴极下方来回运动次数，制备了50、100、150、200、250、300 nm等不同厚度的氧化钨薄膜。