《表1 制备碳氧化硅/DLC薄膜的工艺参数》

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《碳氧化硅过渡层对玻璃基DLC薄膜性能的影响》

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采用JGC-45型磁控溅射仪，溅射本底真空度为3.8×10-3Pa。镀膜前，先后采用丙酮，无水乙醇以及去离子水作为清洗剂对玻璃基片进行超声清洗，吹干后得到的洁净玻璃基片放入仪器中进行镀膜，采用射频电源，用SiC做靶材，通入Ar作为工作气体，O2作为反应气体，Ar和O2的流量比为3∶1（Ar为15 sccm；O2为5sccm），在基片上沉积碳氧化硅过渡层[16]；再采用直流电源，用C做靶材，通入Ar作为工作气体（Ar流量为21 sccm），在碳氧化硅过渡层上沉积DLC薄膜。实验基片台温度均为室温。改变沉积碳氧化硅薄膜的时间，保持DLC薄膜的沉积工艺参数不变，薄膜厚度为148 nm。具体工艺参数如表1所示。