《表2 直流非平衡磁控溅射法制备W-DLC薄膜工艺参数》
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《钨与钒掺杂类金刚石薄膜的温度适应摩擦磨损机制研究》
Si结合层制备工艺参数见表1。直流非平衡磁控溅射法制备W-DLC薄膜工艺参数见表2。射频非平衡磁控溅射法制备V-DLC薄膜工艺参数见表3。按照表1、表2、表3的工艺参数,采用非平衡磁控溅射技术,制备不同类型的DLC薄膜。工作气体选择高纯氩气,溅射靶材为纯度>99.99%的石墨靶、Si靶、W靶和V靶,其中石墨靶用来提供碳源,Si靶用来沉积中间过渡层,W靶和V靶用以在DLC薄膜中掺入金属元素W和V。采用高真空磁控溅射镀膜机(MS型,成都同创材料表面科技有限公司)抽真空至3×10-5Pa后进行烘烤,并在300℃保温30min。待温度降至120℃后,充入高纯氩气,工作压强保持为0.5Pa,进行离子束清洗以去除基材表面的氧化物等杂质,改善界面状态。为提高薄膜与基体的结合力,在基体上沉积Si结合层,以降低薄膜与基体的硬度梯度,缓解因热膨胀系数不匹配而引起的内应力。通过改变沉积过程中的工艺参数,制得未掺杂以及不同含量的W掺杂、V掺杂DLC薄膜,分别记为W-DLC薄膜、V-DLC薄膜。
图表编号 | XD0033425300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 何帅、孙德恩、曾宪光、王建川 |
绘制单位 | 重庆大学材料科学与工程学院、重庆大学材料科学与工程学院、四川理工学院材料腐蚀与防护四川省重点实验室、重庆大学化学化工学院、武汉理工大学燃料电池湖北省重点实验室 |
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