《表3 磁控溅射制备的ZnS薄膜晶体结构参数[24]》

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《原位退火处理对ZnS/Si薄膜结晶性能的影响》

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有学者采用磁控溅射法在玻璃衬底上生长ZnS薄膜结果，与本文结果有共通之处[24]。该实验结果显示在350℃获得薄膜晶粒尺寸60.8nm，半高宽0.141，说明此时的薄膜结晶性最好，但随着温度升高后薄膜结晶性能开始下降。而采用脉冲激光制备ZnS薄膜时在400℃薄膜晶粒尺寸27.232nm，但继续升温后薄膜结晶质量开始下降，从这一点讲两者有共通之处。表3为相关学者采用磁控溅射制备的ZnS闪锌矿单晶薄膜晶体学数据。