《表2 磁控溅射制备AlN薄膜的工艺参数》
采用射频磁控溅射方法制备AlN薄膜,所用原材料为:单晶Si(100)薄片作为衬底,纯度为99.999 5%的金属Al靶作为溅射靶材,直径?49 mm,厚度3mm,工作气体为氩气和氮气,纯度均为99.9999%。制备工艺参数如表2所列。
图表编号 | XD00109936300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.28 |
作者 | 鄂羽佳、陆晓欣、王建东、朱嘉琦 |
绘制单位 | 哈尔滨工业大学、哈尔滨工业大学、哈尔滨工业大学、哈尔滨工业大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |