《表2 磁控溅射制备AlN薄膜的工艺参数》

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采用射频磁控溅射方法制备AlN薄膜,所用原材料为:单晶Si(100)薄片作为衬底,纯度为99.999 5%的金属Al靶作为溅射靶材,直径?49 mm,厚度3mm,工作气体为氩气和氮气,纯度均为99.9999%。制备工艺参数如表2所列。