《表1 溅射铁电薄膜的工艺参数》

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《一种感光栅GaN基高电子迁移率晶体管紫外探测器》

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实验以Si/SiO2为衬底，采用磁控溅射法分别制备了PZT（有氧）/ZnO，PZT（有氧），PZT（无氧），以及LiNbO3等四种铁电薄膜。薄膜的射频磁控溅射条件如表1，制备薄膜结构如图1。