《表1 磁控溅射制备薄膜参数》

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《射频溅射法制备掺Ce~(3+)荧光薄膜上转换发光研究》

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将陶瓷靶材和石英基片分别固定到高真空磁控溅射镀膜仪的镀膜室内，实验所使用的磁控溅射镀膜仪为中国科学院沈阳科学仪器研制中心研制，型号为JGP-560。制备薄膜的具体参数如表1所示。成膜过程在纯氩气（Ar）氛围中进行。样品取出后，放入马弗炉（GSL-1400X）中，在氮气（N2）条件保护下1100℃高温退火处理3小时，待马弗炉腔内温度降至室温后取出样品。退火处理的温度参数设置如图1所示。