《表2 磁控溅射制备薄膜工艺参数》
(2)之后进行薄膜沉积,具体的工艺流程如表2所示:单自转方式下,应用磁控电流为6A和10A各进行30分钟的薄膜沉积,共1小时;在公转加自转时,应用磁控电流为6A和10A各进行60分钟的薄膜沉积,共2小时。应用不同的直流偏压和脉冲偏压。
图表编号 | XD00217440100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.25 |
作者 | 王坤、王世庆、李建、但敏、陈伦江 |
绘制单位 | 核工业西南物理研究院、内江师范学院、核工业西南物理研究院、内江师范学院、核工业西南物理研究院、核工业西南物理研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |