《表1 直流磁控反应溅射制备铂薄膜参数》

《表1 直流磁控反应溅射制备铂薄膜参数》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究》


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本文以表面粗糙度不同的96氧化铝陶瓷为基底,制备了薄膜型铂电阻。氧化铝基底经过丙酮、乙醇、去离子水超声清洗后,用氮气吹干并用热板烘干,充分去除表面水分,这样有利于提高薄膜铂电阻与氧化铝陶瓷基底之间的结合力。实验设备为美国Kurt J.Lesker公司生产的LAB-18薄膜沉积系统,靶材为99.99%Pt,采用直流磁控反应溅射来制备铂薄膜。直流磁控反应溅射制备铂薄膜的反应参数如表1所示。