《表1 试验用薄膜样品：磁控溅射Sn-Cu薄膜表面锡须生长研究》

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《磁控溅射Sn-Cu薄膜表面锡须生长研究》

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选用2英寸的n型硅片作为基片并将其置于丙酮中超声清洗干燥后，采用ACS-4000-C4型磁控溅射仪器，在其表面溅射Sn-Cu双层膜，所用靶材为纯铜和纯锡，调节溅射功率和时间控制薄膜厚度，并采用光刻工艺制备出如图1所示的薄膜电路。图1中5个方形区域是电极引出点，通电时左下方为阳极，右下方为阴极。电路中3个关键部位的宽度分别为50、100和200μm，分别对应图1中的A、B、C区域，以获得不同的电流密度，这样设计的主要目的是在同一个样品上能同时观察不同电流密度对锡须生长的影响，因为即使通过这三个区域的电流值相同，但因为尺寸的不同电流密度也会不同。试验制得的薄膜样品见表1。将各样品分别置于40、50和60℃干燥箱中施加0.1A直流电进行不同时间的加载试验，试验完毕取出，并采用日本S—4800型冷场发射扫描电子显微镜观察各样品通电前后薄膜表面锡须的生长情况。