《表3 薄膜沉积阶段参数：SrTiO_3衬底表面外延生长TiCN薄膜工艺参数优化及疏水疏油性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《SrTiO_3衬底表面外延生长TiCN薄膜工艺参数优化及疏水疏油性能》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

本试验是采用中频反应磁控溅射技术在STO衬底上生长Ti CN外延层，通过调整溅射功率、溅射时间、偏压、占空比、CH4及N2流量等工艺参数，得到膜基结合力强，疏水性、疏油性强的Ti CN薄膜。不同阶段的工艺参数见表1、表2及表3。