《表1 沉积金刚石薄膜的工艺参数》

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《金属过渡层增强金刚石薄膜场发射性能的机理研究》

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将已制备的Metal/Si和Si基底用粒度为0.5μm的金刚石粉和丙酮溶液混合而成的悬浊液超声30min，使基底材料表面有较多的形核点。用去离子水超声清洗样品10 min，去除基材表面附着的金刚石颗粒，将清洗好的样品烘干，用射频等离子体清洗基底材料15 min，射频功率200 W，氩气流量30 ml/min，气压8 Pa。本实验采用热丝CVD法制备金刚石薄膜，灯丝结构为直径0.4 mm和长度100 mm的两组直灯丝，灯丝之间的间隙为10 mm，样品均放置于灯丝正下方。通过自改造加工的拉伸装置解决了直灯丝的受热变形问题，以保证灯丝与不同位置样品间的距离一致，使衬底温度分布均匀[14]。沉积金刚石薄膜的具体工艺参数如表1所示。