《表1 a-Si∶H薄膜沉积的工艺参数》

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《基于氢等离子体处理改善氢化非晶硅/晶体硅界面钝化效果的工艺研究》

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采用氢等离子处理工艺制备a-Si∶H薄膜，首先，通过对纯SiH4分解生长a-Si∶H薄膜；接着，停止沉积过程，将系统中的残余气体排出，并通入H2，通过分解H2形成氢等离子体对a-Si∶H薄膜作用；最后，周期性地采用这两种方式以获得a-Si∶H薄膜。a-Si∶H薄膜的沉积工艺参数范围如表1所示。