《表2 本征a-Si∶H薄膜样品的编号和制备条件》

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《基于氢等离子体处理改善氢化非晶硅/晶体硅界面钝化效果的工艺研究》

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在CZ-Si衬底上双面沉积厚度为10 nm本征a-Si∶H薄膜。如图3（a）所示，首先，采用纯SiH4沉积a-Si∶H薄膜作为参考样品；接着，如图3（b）所示，引入氢等离子处理工艺，周期性地使用SiH4分解和氢等离子处理工艺制备薄膜，一共3个周期。所形成薄膜样品的编号与制备条件如表2所示，其中#0为参考样品。