《表1 不同含量ZnO掺杂ZnSb薄膜的制备条件与成分》

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《ZnO掺杂对ZnSb相变薄膜结构和电学特性的影响》

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使用日本日立SU8010场发射电子显微镜自带的能谱仪，采用面扫描的方式测试薄膜成分，结果见表1，其中Ar流量为40 mL/min，背景压强为5×10-4 Pa。通过观察薄膜断面获得薄膜厚度为150～200 nm，如图1所示。