《表1 ZnO/PVDF纳米复合薄膜制备工艺参数[13]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《金属及其化合物掺杂PVDF介电/压电材料的研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

Chilvery等[13]将ZnO纳米粒子掺杂到PVDF中制备成ZnO/PVDF纳米复合薄膜，制备工艺见表1。图4为不同含量ZnO/PVDF复合薄膜的温度和介电常数关系曲线，可以看出ZnO/PVDF的介电常数随着ZnO纳米粒子的含量增大而增大，当加入ZnO的体积分数为8.6%时，ZnO/PVDF纳米复合材料介电常数（ε=15.45）比原始PVDF（ε=7.75）提高了近2倍。这表明ZnO的引入对聚合物基体结构有着积极的影响，并且有助于增强纳米复合材料介电响应和能量储存。Gaur等[14]利用溶液混合法制备出ZnO掺杂PVDF复合材料，研究表明纳米复合材料的介电常数随着频率的上升而降低，但随着温度和ZnO含量的增加而增加。Dodds等[15]采用溶液法制备了ZnO/聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物（PVDF-TrFE）薄膜，结果发现，无论是介电常数，还是介电损耗，掺杂ZnO的PVDF-TrFE薄膜性能均优于已经商业化的纯PVDF-TrFE薄膜性能，并且随着ZnO含量的增加，薄膜的最大电压常数也逐渐增加。