《表2 复合薄膜的制备工艺参数》

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《低红外发射率陶瓷层/金属层/陶瓷层复合薄膜高温性能研究》

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本文采用武汉大学自行设计组装的HPARC-I型多弧离子镀设备，分别在硅片基体和K424镍基高温合金基底（尺寸4 cm×3 cm，表面均方根粗糙度RMS=55.68 nm）上制备了AlCrN/Cr/AlCrN和AlCrSiN/Cr/AlCrSiN两种低红外发射率复合薄膜，K424镍基高温合金成分如表1所示。在制备样品之前，分别将基体材料放入丙酮溶液和酒精溶液中超声清洗10～20 min，然后把基体材料放入烘干箱内烘干备用。预处理主要是为了清理基体材料表面的油污、油渍和氧化物等污染物，有利于制备过程中提高薄膜与基体的结合强度、致密性和均匀性。随后，将基体材料放入多弧离子镀设备真空腔室后，抽真空至6×10-3 Pa，并通入Ar气，采用-800 V偏压，对基体进行预溅射10 min，以达到完全清除表面杂质的效果。制备两种复合薄膜的具体工艺参数如表2所示，其中工作气压为0.5 Pa，弧电流为65 A，基体偏压为-100 V，占空比为70%，沉积温度为200℃。