《表2 薄膜制备工艺参数：NDIR乙烷气体传感器中滤光膜的研制》

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《NDIR乙烷气体传感器中滤光膜的研制》

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在薄膜制备前，使用超声波清洗机对基板进行清洗，将清洗好的基片放入真空室工件盘中，调节工件盘转速为60r/min并开始抽真空。当真空度达到1×10-2Pa时，打开冷阱系统减少真空室中水蒸气的含量，减小水蒸气对红外薄膜性能的影响。当真空度达到5×10-4Pa时打开离子源轰击基片10分钟，离子源功率为3kW。薄膜制备工艺参数如表2所示，蒸镀完成后，在真空室中自然冷却到室温取出样品。