《表3 薄膜制备工艺参数：兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的研究》

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《兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的研究》

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使用ZZS500-2/G真空箱式镀膜机完成红外增透膜的制备，制备过程中采用光电极值法进行膜厚监控，并利用过正控制、短波控制长波的镀制技巧完成红外膜的制备.监控波长为设计波长的一半，即镀制膜系结构为Sub/7H7L/Air.微调监控波长以获得良好透射率，制备过程中镀制Zn Se薄膜采用λ为540 nm进行监控，镀制Ba F2薄膜采用λ为535 nm监控.具体的工艺参数如表3.