《表1 网栅的光刻工艺参数》

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选用光刻掩模将设计的网栅图案转移到双面抛光硅基底，光刻胶选用EPG533光刻胶.为了保证光刻胶旋涂的质量，首先利用超声波对双面抛光硅基底进行清洗，清洗溶液选择无水乙醇，随后将残留乙醇用去离子水清洗，用氮气吹干水渍.采用KW-4A型台式匀胶机进行涂胶，涂胶过程一般采用高、低转速，低速确保光刻胶均匀附着于基底表面，高速有效的控制光刻胶的厚度.接着利用马弗炉选择合适的温度、时间烘烤涂胶基片，增加光刻胶的黏附性的同时，可有效减少胶层内部应力.待基片冷却后，选择合理的曝光时间对涂胶基片进行曝光，曝光时间过短会导致光化学反应不彻底而出现光刻胶的残留；曝光时间过长，因衍射和散射使未曝光区域光刻胶发生光化学反应而去除.最后将基片放入显影液进行显影，显影时间长短也会影响光刻的质量.表1为网栅的光刻工艺参数.