《表1 电弧离子镀制备CrN薄膜的工艺参数》

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《基体负偏压及占空比对电弧离子镀CrN薄膜表面大颗粒和厚度的影响》

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120°C保温30 min后关闭加热。为了清除基体表面的氧化物和污染物，露出基体的新鲜表面，在薄膜沉积前对Si片进行氩气溅射清洗。真空度降至5×10-3 Pa后通入氩气，基体负偏压设为1 000 V，占空比30%，频率50 kHz，工作气压2.0 Pa，溅射时间10 min。沉积CrN薄膜时，Cr靶工作电流60 A，通入氮气后工作气压为0.73 Pa，镀膜时间30 min，待考察的基体负偏压和占空比的参数组合见表1。