《表1 电弧离子镀Al-Cr-Si-N涂层的沉积参数》

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《直流基体偏压对Al-Cr-Si-N涂层结构和力学性能的影响》

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采用V-TECH AIP650/750型电弧离子镀膜设备，以单晶Si片（100）、镜面抛光的AISI 304不锈钢片（30 mm×25 mm×1 mm，Cr-18.5，Ni-9.4，Mn-0.8，Si-0.4，P-0.1，Fe余量，均为质量分数，%）和玻璃试片（40 mm×25 mm×0.7 mm）为基体，在不同基体偏压下分别沉积Al-Cr-Si-N涂层。镀膜前将基片分别用丙酮、无水乙醇超声清洗15 min，之后用高纯氮气吹干，正对靶材放置于真空室内试样架上。阴极靶材分别选用金属Cr（纯度为99.9%），和合金Al-Cr-Si靶（原子比为60:30:10），前者用于沉积过渡层，后者用于沉积Al-Cr-Si-N涂层，靶基距均为285 mm。镀膜时转架速度保持在20 r/min，工作气体和反应气体分别选用Ar和N2（纯度均为99.999%），先沉积5 min的Cr过渡层，Cr靶电流为50 A，然后通入反应气体N2并开启Al-Cr-Si合金靶，电流为60 A，沉积180 min。具体沉积参数如表1所示。