《表1 硅片的粗糙度：霍尔源溅射清洗工艺对离子镀TiN涂层结合性能的影响》

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《霍尔源溅射清洗工艺对离子镀TiN涂层结合性能的影响》

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这是因为原始硅片上存在超声清洗难以去除的微粒杂质，这些微粒杂质增加了硅片表面的微观不平整度，导致粗糙度曲线的波幅变大。在溅射清洗的过程中，高能离子撞击基片后使杂质颗粒脱附，表面粗糙度和波幅都出现明显降低。但是随着放电电压的持续升高，活性Ar+的刻蚀作用逐渐增强，高能Ar+除了轰击杂质、使其离开基片之外，还造成了基片表面损伤和溅射刻蚀，在基片表面形成不同程度的沟壑和凸起，基片表面发展为由不规则块状结构和被刻蚀的细小乳突状结构相结合的具有双重粗糙度的阶层结构[22]，表面粗糙度反而升高。