《表1 工艺参数：工艺参数对磁控溅射TiN膜结构的影响》

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《工艺参数对磁控溅射TiN膜结构的影响》

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实验按照表1中的参数进行试验，实验分为3组，在基底温度为300℃，溅射功率为600 W条件下，开展了时间分别为1 h、3 h的实验；在时间为2h，溅射功率为600 W的条件下，开展了基底温度分别为100℃、200℃的实验。在时间为2 h，基底温度为300℃的条件下，开展了溅射功率分别为200W、1000 W的实验。溅射完成后，样品随炉冷却。反应结束后依次关闭溅射装置，气阀，电源，等待基片冷却至室温时将薄膜取出密封保存标号记号。