《表1 钽和铂的生长速率：退火工艺对磁控溅射生长的Pt薄膜微观结构及电性能的影响》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《退火工艺对磁控溅射生长的Pt薄膜微观结构及电性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

粘附层Ta的溅射功率为100 W，沉积时间300 s。Pt薄膜的溅射功率为100 W，沉积时间为4 500 s。测量薄膜厚度并计算Ta和Pt薄膜的沉积速率。因为粘附层Ta薄膜太薄，为精确测量其沉积速率，制备了沉积时间为3 000 s（即厚度为原来的10倍）的Ta薄膜进行测量，结果见表1。根据此结果，推断沉积时间为300 s的粘附层Ta薄膜厚度为（13±2）nm。