《表1 溅射功率对ITO薄膜光电性能的影响》

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《磁控溅射法制备柔性大尺寸ITO薄膜的研究》

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设定实验过程中氩气流量为255 sccm，氧气流量9 sccm，氩氧比28∶1，PET的走速1.2 m/min，沉积温度为室温，溅射功率从1.8 kW变化到5.4 k W。所得结果见表1和图2。从表1和图2可看出，在溅射功率为1.8 kW时，薄膜方阻为381.76Ω/□，在400～780 nm可见光范围内，薄膜的平均透过率为88.53%，偏黄值为2.59，方阻均一性小于5%，说明制备出的大尺寸ITO薄膜均一性良好。随着溅射功率的增大，ITO薄膜的方阻逐渐降低，平均透过率下降，偏黄值b*逐渐增加。方阻降低的原因是溅射功率的增大使得在相同的沉积时间内薄膜厚度增加，膜层越厚，薄膜的导电性越好，方阻越低。同时，膜层厚度的增加造成ITO透过率下降，偏黄值b*增大。由于ITO的目标方阻是180Ω/□，因此选定ITO的最佳溅射功率为3.6 kW。