《表2 基底走速对ITO薄膜光电性能的影响》

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《磁控溅射法制备柔性大尺寸ITO薄膜的研究》

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设定实验过程中氩气流量255 sccm，氧气流量9 sccm，氩氧比28∶1，溅射功率3.6 kW，沉积温度为室温，PET走速从1.2 m/min变化到2 m/min。所得结果见表2和图3，走速1.2 m/min时，薄膜平均方阻180.16Ω/□，平均透过率为83.83%，偏黄值b*和雾度分别为3.75和0.46%。随着基底走速的增加，ITO薄膜的方阻逐渐增大，每增加0.2 m/min的走速，ITO薄膜方阻增加18Ω/□，基本呈线性增加。薄膜方阻增大的原因是提高基底走速使得制备的薄膜厚度降低，所以薄膜的导电性变差。因为薄膜变薄，所以其透过率在可见光范围内均有明显增加，偏黄值b*逐渐降低。当走速为1.2 m/min时，薄膜方阻最接近180Ω/□，因此确定1.2 m/min是制备ITO薄膜的最佳走速。