《表2 不同过硫酸钠用量时蚀刻前后镀铜银纳米线薄膜的光电性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《镀铜银纳米线导电薄膜铜层蚀刻液研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

镀铜银纳米线薄膜蚀刻后留下银纳米线透明导电薄膜，在实际生产中要求蚀刻前后的银纳米线薄膜的光电性能不变。镀Cu前银纳米线薄膜的平均方块电阻为42.1Ω，平均透过率为89.10%，雾度为1.26%。采用不含过硫酸钠的蚀刻液时，Cu层未被蚀刻掉且发生氧化，因此无法测得方块电阻、透过率和雾度。从表2可知，过硫酸钠用量为1 g时，蚀刻后银纳米线薄膜的方块电阻升至51.1Ω，方块电阻变化较大，可能是蚀刻时间过长对下层银纳米线薄膜造成破坏所致。过硫酸钠用量为2～5 g时，银纳米线薄膜的方块电阻变化不大，表明较短的蚀刻时间更适合镀铜银纳米线薄膜的蚀刻。镀铜银纳米线薄膜蚀刻前后的透过率几乎不变，雾度仅在过硫酸钠用量为4 g时略升，其余配方蚀刻后变化不大。