《表1 电极间距不同的Be MgZnO薄膜光电探测器性能的比较》

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《电极间距对BeMgZnO薄膜光电探测器性能的影响》

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表1总结了电极间距为10μm和100μm两种BeMgZnO薄膜光电探测器的性能参数．对比可知，相较于电极间距为100μm的器件，电极间距为10μm的光电探测器的暗电流更大，光电流却较小，这是因为电极间距小，两电极间的电阻更小，暗电流更大；然而电极间距的减小会造成光照面积的大幅下降，从而使得光电流变小．另一方面，当BeMgZnO薄膜光电探测器的电极间距较小时，载流子在两电极间渡越的距离更小，而载流子的迁移速率相同，所以载流子渡越时间变短，因此器件响应速度加快．