《表3 氧气流量对ITO薄膜光电性能的影响》

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《磁控溅射法制备柔性大尺寸ITO薄膜的研究》

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设定实验过程中氩气流量255 sccm，溅射功率3.6 k W，沉积温度为室温，PET走速为1.2 m/min，氧气流量从6.30 sccm变化到14.85 sccm，所得结果见表3和图4，随着氧气流量的增加，在可见光波长范围内，薄膜的透过率增大。薄膜方阻随着氧气流量的增加先降后增，在较低的氧气流量下，薄膜中存在较多的氧空位。虽然氧空位能增加薄膜的导电性，但它也会使薄膜缺陷增加，从而增大电子的散射，薄膜的导电性会降低[12]。当氧气流量继续增大时，薄膜中氧空位大大减少，从而降低了薄膜导电性，使其方阻增大。因此，适量的氧空位是获得低方阻ITO薄膜的关键因素。在氧气流量为10.35 sccm时，薄膜方阻达最小值（175.57Ω/□），平均透过率为84.80%，方阻均一性为8.69%（小于10%）。随着氧气流量的增加，薄膜偏黄值呈先降低后增加的趋势。当氧气流量为10.35 sccm时，所制备的ITO薄膜方阻接近180Ω/□且平均透过率达到最高为84.80%。