《表3 试验工艺参数：高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究》

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《高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究》

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综上，设定主要工艺参数：1）氩气、氧气流量分别为20 mL/min和0.6 mL/min；2）靶基距为5 cm；3）溅射时间为50 min；4）溅射功率为200 W。通过调整工作气压（见表3）研究ITO薄膜的光电性能。