《表5 实验工艺参数：高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究》

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《高透明低发射率ITO薄膜的制备及其光电性能研究》

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设定主要工艺参数：1）氩气、氧气流量分别为20 mL/min和0.6 mL/min；2）靶基距5 cm；3）工作气压0.4 Pa；4）溅射功率200 W。通过调整溅射时间（表5）研究ITO薄膜的光电性能。