《表1 以不同退火温度制得的Sn O2薄膜为ETL的PSC的光电性能参数》

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《SnO_2退火温度对钙钛矿太阳能电池性能的影响》

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以不同退火温度下制备的Sn O2薄膜为ETL，采用一步法制备PSC，器件的光电性能参数见表1。从表1可知，PSC的开路电压（Open-circuit Voltage，VOC）、JSC和填充因子（Fill Factor，FF）随着Sn O2退火温度的升高，呈现先上升后下降的趋势。Sn O2退火温度为180℃时，PSC的性能达到最优。