《表1 不同退火温度下的Sn O2薄膜的方块电阻Tab.1Square resistance of Sn O2annealed at different tem-perature》

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《退火温度对旋涂法制备SnO_2薄膜性能的影响》

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利用四探针测试样品的方块电阻，如表1所示。沉积态薄膜和100℃退火后的薄膜方块电阻电阻阻值太大，无法测出，可能是因为沉积态薄膜有机杂质含量较高，导致薄膜方块电阻很大；随着退火温度的升高，薄膜有机杂质去除，薄膜由非晶态转变为结晶，薄膜方块电阻减小，电导率升高。退火温度为500℃时，薄膜方块电阻低至45.51kΩ/□，电导率高达916 S/m。