《表2 不同沉积温度下薄膜的方块电阻》

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《沉积温度及热处理对AZO纳米叠层薄膜性能的影响》

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表2为不同沉积温度下薄膜的方块电阻，从表2中可知，随沉积温度的升高，AZO薄膜的方阻整体呈上升趋势。在150℃时，薄膜的方阻为4.12×109Ω/□，换算成电阻率为1.03×105Ω·cm，不满足微通道板打拿极导电层对电阻的要求，这是由于此时的沉积温度过低，前驱体吸附反应的热驱动力不足，前驱体因表面化学吸附和反应势垒作用而难以在衬底表面充分吸附和反应，当沉积温度提升到170℃之后，薄膜的方块电阻的数量级均为1012，且薄膜的方阻随温度升高而增大的趋势变得平缓，不存在较大波动。结果表明，通过调整沉积温度有助于控制薄膜的电阻值，且170℃以上温度下制备的薄膜方块电阻满足MCP打拿极导电层电阻要求，且此时薄膜方阻基本稳定，证明薄膜的生长随着沉积温度的增加存在稳定的工艺窗口，结合上文沉积温度对薄膜表面粗糙度的研究，发现ALD法制备AZO薄膜存在最优的生长温度，为170~200℃。