《表1 不同离子注入剂量下所测方块电阻》

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《离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用》

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通过对6组p型单晶硅片分别离子注入不同剂量的磷，经过870℃高温退火20 min后，采用4D Model 280方块电阻测试仪对硅片表面的中心点以及边缘四个点进行了方块电阻测试，测试结果如表1所示。