《表1 不同样品方块电阻列表Tab.1 Sheet resistance of different samples》

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《基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备》

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如表1中的数据所示，样品1为80 nm未掺杂金属ITO在600℃温度退火，方块电阻为45.03Ω/□，掺杂Al和Ti的样品2和3的方块电阻分别有6.2Ω/□和3.7Ω/□的降低。但掺杂Ni的样品4电阻反而增大到178.6Ω/□。当我们在ITO中掺杂金属时，适量的金属能够在N2∶O2气氛的退火条件下取代原有的In—O键，形成新的Metal—O键，并剩余少量金属，而这少量的金属可以减少方块电阻[22]。掺Al和Ti的样品在退火过程中产生Al2O3和Ti O2，并剩余金属Al和Ti，因此样品2和3的电阻降低。但掺Ni的样品在退火后因为Ni极易与O反应生成Ni O，基本不存在单质金属Ni，因此样品4的电阻尤其高[23]。当生长更厚的ITO时，如样品5和6，Metal-ITO薄膜的方块电阻进一步降低，相比样品2分别有1.7Ω/□和2.9Ω/□的降低，这是因为ITO薄膜越厚，其电阻越低[24]。当我们改变退火温度时，如550℃情况下的样品7和650℃情况下的样品8，发现样品7和8的方块电阻相比样品2都有所增长。这是因为随着退火温度的升高，薄膜晶粒尺寸增大，结晶性能变好，载流子的散射作用减弱，迁移率增大，电阻小；但当退火温度过高时，大气中的氧会与薄膜发生反应，造成氧空位和载流子浓度降低，从而导致电阻率增大[25]。