《表1 不同掺杂浓度和厚度组合下的漂移层电阻Tab.1 Drift layer resistance for different combinations of do-ping concentrati

《表1 不同掺杂浓度和厚度组合下的漂移层电阻Tab.1 Drift layer resistance for different combinations of do-ping concentrati   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现》


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研究了5种不同掺杂浓度和厚度组合下漂移层部分的电阻，结果如表1所示。可以看出，当外延层低于120μm时，器件的导通电阻并没有明显变化，而较薄的漂移层又无法满足器件的阻断电压要求。综合考虑器件的正向导通特性和器件的阻断特性，最终选择的漂移层厚度为120μm，掺杂浓度为2e14cm-3。

图表编号XD0021737100    严禁用于非法目的
绘制时间2018.10.25
作者杨同同、陶永洪、杨晓磊、黄润华、柏松
绘制单位宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所
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