《表1 S3硅通孔各边界层厚度Tab.1 Thickness of the boundary layers of the S3 TSV》

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《TSV的工艺缺陷诊断与分析》

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如图7所示，有几个重要的测量点需要注意。测量点1和15记录的是硅片表面的边界层厚度，测量点2和14记录的是硅通孔上部边角边界层厚度，测量点7和9记录的则是底部硅通孔两个边角的边界层厚度，测量点8记录的是硅通孔底部边界层厚度。选取S3作为样例，其TSV宽度约为80μm，深度约为120μm，深宽比为1.5。具体数据如表1所示，铜种子层、聚对二甲苯和Si O2厚度的平均值分别为1.38，1.00，1.11μm，其均方差分别为0.82，0.17，0.71μm。