《表2 不同硅通孔边界层数据Tab.2 Data of the copper seed layer of different TSV》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《TSV的工艺缺陷诊断与分析》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

由于顶部的铜种子薄膜较厚，在填充铜时，硅通孔顶部可能会出现提前闭合的状况，即硅通孔上部已经填充完毕，而底部还存在填充空洞。按照以上方法分别测量了S3，S5，S8，C3，C5和C8这6个孔的铜种子层的厚度，如表2所示。