《表1 化学修饰前后不同层数的SWNT薄膜的表面电阻Tab.1Sheet resistances of SWNT films with different number of layers, befo
为了减小碳纳米管薄膜的表面电阻,对碳纳米管进行化学掺杂是一种很常见的方法。常见的掺杂剂有卤素(Br2)[97]、酸(HNO3,HCl)[98-99]、氯化物(Au Cl3,SoCl2)[99-100]、氧化物(MoOx)[101]等。这些掺杂剂可以在减小碳纳米管之间的接触电阻的同时增加载流子,从而降低碳纳米管薄膜的电阻率[102-103]。使用亚硫酰溴(SoBr2)和亚硫酰氯(SoCl2)对单壁碳纳米管(SWNT)进行掺杂,减小了碳纳米管的表面电阻。表1给出化学修饰前后不同层数的SWNT薄膜的表面电阻[104]。Zhang等[93]使用SOCl2掺杂制备碳纳米管薄膜,并使用PEDOT对其进行表面修饰,得到的碳纳米管薄膜的透光率为87%,表面电阻约为160Ω·□-1,基于该电极制备了结构为anode/PEDOT/NPD/Alq3/Al的荧光OLED器件,启亮电压为5 V,电流密度、亮度在20 V时达到了0.7 m A·cm-2、17cd·m-2,量子效率最高为0.34%。
图表编号 | XD0030822400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 杨桢林、费纯纯、成程、张宏梅 |
绘制单位 | 南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地信息材料与纳米技术研究院、南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地信息材料与纳米技术研究院、南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地信息材料与纳米技术研究院、南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地信息材料与纳米技术研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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