《表1 氮气气氛450℃下不同退火时间的CZTS薄膜的化学成分Tab.1 Chemical composition of CZTS thin films annealed at 450℃for dif

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《退火工艺对滴涂法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响》

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图3是氮气气氛450℃下不同退火时间的CZTS薄膜的SEM图片。在450℃下退火处理获得的薄膜表面明显存在许多孔洞，这可能是由于在退火过程中溶剂挥发所造成的。当退火时间较短，为10 min时，所得到的薄膜表面粗糙度也较高。从图中也可以看出，薄膜表面的颗粒熔结在一起。这是由于墨水中的CZTS纳米颗粒大多是非晶或结晶性较差，在退火过程中，产生了熔结再结晶过程，退火时间较短，纳米颗粒只熔结还没有进一步晶化。随着退火时间的增加，薄膜的致密性逐渐提高。当退火时间达到60 min时，薄膜表面明显存在一些片状颗粒，这可能是薄膜中存在Cu2-xS杂相造成的。退火时间为120 min时，CZTS薄膜的纳米颗粒分布较均匀，致密性较好。